Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Первые модули уже получили награду от совета международной выставки CES, но реальные образцы будут продемонстрированы на самом мероприятии в январе.

Представлен модуль GDDR6 K4ZAF325BM-HC14 плотностью 16 Гбит. Он рассчитан на работу при напряжении 1.35 В.

GDDR6 станет самой быстрой и энергоэффективной памятью со скоростью передачи данных до 16 Гбит/с. Будут модули на 12 и 14 Гбит/с. На данный момент наивысшая скорость обмена данных в 11 Гбит/с у модулей GDDR5X (в привычном понимании это эффективная частота 11 ГГц). Новые модули найдут применение в следующем поколении видеокарт NVIDIA GeForce GTX на архитектуре Volta. Ниже приведена таблица с сайта Videocardz.com, которая хорошо показывает, какой пропускной способности можно будет добиться на GDDR6 в сравнении с существующей памятью при 256-битной или 384-битной шине.

GDDR6 обеспечит хорошее ускорение в работе с памятью и не потребует перехода на дорогое производство чипов с HBM2. Впрочем, последние варианты нельзя исключать для новых Titan.

Источник: Videocardz.com